扬杰科技最新推出了一系列用于清洁能源的TOLT封装功率MOSFET产品，产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗冲击电流能力。

1.采用优化的SGT工艺, 产品内阻低，开关特性优；
2.采用TOLT顶部散热封装，适用于BMS等大功率应用；
3.工作结温 Tj(max) = 175℃，出色的散热性能，优异的温升表现；
4.针对工控应用的各种工作状态, 优化MOS产品EAS能力，提高产品的可靠性。