650V Super Junction N-Channel MOSFET

2020 官网升级中!现在您访问官网的浏览器设备分辨率宽度低于1280px
请使用高分辨率宽度访问。

首页
关于我们
公司简介企业新闻发展历程企业荣誉合规诚信新品发布招聘信息技工教育
产品中心

分立器件晶圆集成电路

汽车

小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
整流二极管
快恢复二极管
肖特基二极管
瞬态抑制二极管
静电保护二极管
MOSFET
功率三极管
小信号数字三极管
功率稳压管
SiC汽车电子
IGBT汽车电子

整流器件

整流桥
普通整流二极管
快恢复二极管
超高效整流二极管
超快恢复二极管
肖特基二极管
光伏二极管
焊接二极管

汽车电子整流器件
整流二极管快恢复二极管肖特基二极管

保护器件

瞬态抑制二极管
晶闸浪涌保护器
静电保护二极管
稳压管

汽车电子保护器件
瞬态抑制二极管静电保护二极管功率稳压管

小信号

小信号开关二极管
小信号肖特基二极管
小信号稳压管
小信号三极管
小信号数字三极管
功率三极管

汽车电子小信号
小信号开关二极管小信号肖特基二极管小信号稳压管小信号三极管功率三极管小信号数字三极管

MOSFET

ALL MOSFET
汽车电子MOSFET

高压MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET

中低压MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模块
IGBT单管
IGBT汽车电子

模块

整流模块
快恢复模块
肖特基模块
晶闸管模块
晶闸管混合模块
快速/相控晶闸管

SiC

SiC肖特基二极管
SiC MOSFET
SiC汽车电子
SiC二极管模块

4/5寸晶圆

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高压模块雪崩芯片
汽车电子芯片

6寸晶圆

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防护芯片

8寸晶圆

集成电路

负载开关
线性稳压器
并联式电压基准
开关电源转换器

产品参照

中文 EN

首页

关于我们

新品发布

650V Super Junction N-Channel MOSFET

650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回

新产品宣告

产品介绍 1.采用扬杰科技特殊多层外延工艺制程设计的650V系列超结产品，可以满足低导通损耗、低开关损耗、EMI兼容性以及不同电路拓扑结构应用要求，产品具有良好的导通内阻（Rdson)和栅极电荷（Qg)性能，降低导通损耗和开关损耗，更低的开关噪声、更低的Trr，综合提升系统稳定性及性能。
2.开关速度与EMI平衡、更低的Trr特点，适用于充电器，电源适配器，TV电源、工业电源等领域，亦可满足一些半桥或各种桥式电路拓扑结构应用要求。

产品特点 1.采用扬杰科技特殊多层外延工艺制程设计，具有更高的工艺稳定性和可靠性，开关速度与EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产品具有低导通电阻、低栅极电荷、导通损耗和开关损耗低的特点；
3.采用TO-252/ITO-220AB封装，具有更好的热值特性。

规格书

相关新品