扬州扬杰电子科技股份有限公司

Mosfet——中低压Mosfet

型号规格书结构产品极性
N/P 漏源电压
VDSS (V) 工作电流
ID (A) 耗散功率
Pd(W) 栅源电压
VGS (V) 阈值电压
Vth(V)
Min 阈值电压
Vth(V)
Typ 阈值电压
Vth(V)
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Max 输入电容
Ciss(pF)
Typ 输出电容
Coss(pF)
Typ 反向传输电容
Crss(pF)
Typ 栅极电荷
Qg(nC)
Typ 封装产品状态产品等级

YJG80GP06B

Single P -60 -80 120 ±18 -2 -2.7 -4 6.5 8.5 - - - - - - 5450 900 65 82 PDFN5060 Active Industrial

Mosfet——汽车电子mosfet

YJG80GP06BQ

Single P 60 80 120 ±18 -2 -2.7 -4 6.1 8.5 - - - - - - 5500 1555 220 80.7 PDFN5060 Active 60

汽车电子——功率MOS管

型号 pdf 极性POLARITY 漏源击穿电压VDSS V 零栅极电压漏极电流ID A 损耗功率PD W 栅源电压 VGS V 门极阈值电压 VTH V 静态漏源导通电阻 @VGS=10V Typ 静态漏源导通电阻 @VGS=10V Max 静态漏源导通电阻 @VGS=4.5V Typ 静态漏源导通电阻 @VGS=4.5V Max 静态漏源导通电阻 @VGS=2.5V Typ 静态漏源导通电阻 @VGS=2.5V Max 封装产品状态

YJG80GP06BQ

P -60 -80 120 ±18 -2.7 6.1 8.5 - - - - PDFN5060 Active

汽车电子

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保护器件

小信号

Mosfet

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SiC

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