扬州扬杰电子科技股份有限公司

Mosfet——中低压Mosfet

型号规格书结构产品极性
N/P 漏源电压
VDSS (V) 工作电流
ID (A) 耗散功率
Pd(W) 栅源电压
VGS (V) 阈值电压
Vth(V)
Min 阈值电压
Vth(V)
Typ 阈值电压
Vth(V)
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Max 输入电容
Ciss(pF)
Typ 输出电容
Coss(pF)
Typ 反向传输电容
Crss(pF)
Typ 栅极电荷
Qg(nC)
Typ 封装产品状态产品等级

YJG25GP10A

Single P -100 -25 88 ±20 -1 -1.8 -2.5 42 56 46 62 - - - - 2100 236 48 40 PDFN5060 Active Industrial

Mosfet——汽车电子mosfet

YJG25GP10AQ

Single P -100 -25 70 ±20 -1 -1.7 -2.5 42 55 46 60 - - - - 2200 200 20 40 PDFN5060 Active -100

汽车电子——功率MOS管

型号 pdf 极性POLARITY 漏源击穿电压VDSS V 零栅极电压漏极电流ID A 损耗功率PD W 栅源电压 VGS V 门极阈值电压 VTH V 静态漏源导通电阻 @VGS=10V Typ 静态漏源导通电阻 @VGS=10V Max 静态漏源导通电阻 @VGS=4.5V Typ 静态漏源导通电阻 @VGS=4.5V Max 静态漏源导通电阻 @VGS=2.5V Typ 静态漏源导通电阻 @VGS=2.5V Max 封装产品状态

YJG25GP10AQ

P -100 -25 70 ±20 -1.7 42 55 46 60 PDFN5060 Active

汽车电子

整流器件

保护器件

小信号

Mosfet

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SiC

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