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Mosfet——中低压Mosfet
型号 规格书 结构 产品极性
N/P
漏源电压
VDSS (V)
工作电流
ID (A)
耗散功率
Pd(W)
栅源电压
VGS (V)
阈值电压
Vth(V)
Min
阈值电压
Vth(V)
Typ
阈值电压
Vth(V)
Max
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Typ
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Max
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Typ
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Max
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Typ
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Max
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Typ
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Max
输入电容
Ciss(pF)
Typ
输出电容
Coss(pF)
Typ
反向传输电容
Crss(pF)
Typ
栅极电荷
Qg(nC)
Typ
封装 产品状态 产品等级
YJD12C65H
Single N 650 12 83 ±30 2.5 3.8 5 280 380 - - - - - - 1020 30 4 25 TO-252 Active Standard
Mosfet——高压Mosfet
型号 规格书 封装 结构 产品极性 漏源电压 工作电流 耗散功率 栅源电压 阈值电压 Min 阈值电压 Typ 阈值电压 Max 导通电阻 @VGS10V Typ 导通电阻 @VGS10V Max 导通电阻 @VGS4.5V Typ 导通电阻 @VGS4.5V Max 导通电阻 @VGS2.5V Typ 导通电阻 @VGS2.5V Max 导通电阻 @VGS1.8V Typ 导通电阻 @VGS1.8V Max 输入电容 输出电容 反向传输电容 栅极电荷 产品状态 产品等级
YJD12C65H
TO-252 Single N 650 12 83 ±30 2.5 3.8 5 280 380 - - - - - - 1020 30 4 25 Active