扬州扬杰电子科技股份有限公司

Mosfet——中低压Mosfet

型号规格书结构产品极性
N/P 漏源电压
VDSS (V) 工作电流
ID (A) 耗散功率
Pd(W) 栅源电压
VGS (V) 阈值电压
Vth(V)
Min 阈值电压
Vth(V)
Typ 阈值电压
Vth(V)
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Max 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Typ 导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Max 输入电容
Ciss(pF)
Typ 输出电容
Coss(pF)
Typ 反向传输电容
Crss(pF)
Typ 栅极电荷
Qg(nC)
Typ 封装产品状态产品等级

YJD12C65H

Single N 650 12 83 ±30 2.5 3.8 5 280 380 - - - - - - 1020 30 4 25 TO-252 Active Standard

Mosfet——高压Mosfet

型号规格书封装结构产品极性漏源电压工作电流耗散功率栅源电压阈值电压 Min 阈值电压 Typ 阈值电压 Max 导通电阻 @VGS10V Typ 导通电阻 @VGS10V Max 导通电阻 @VGS4.5V Typ 导通电阻 @VGS4.5V Max 导通电阻 @VGS2.5V Typ 导通电阻 @VGS2.5V Max 导通电阻 @VGS1.8V Typ 导通电阻 @VGS1.8V Max 输入电容输出电容反向传输电容栅极电荷产品状态产品等级

YJD12C65H

TO-252 Single N 650 12 83 ±30 2.5 3.8 5 280 380 - - - - - - 1020 30 4 25 Active

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