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小信号MOS管

型号 pdf 极性POLARITY 漏源击穿电压VDSS 零栅极电压漏极电流ID 损耗功率PD 栅源电压VGS 门极阈值电压VTH @VGS10V Typ @VGS10V Max @VGS4.5V Typ @VGS4.5V Max @VGS2.5V Typ @VGS2.5V Max 封装

2N7002KWQ

N 60 0.34 0.35 ±20 1.4 1300 2500 1400 3000 - - SOT-323

2N7002KQ

N 60 0.34 0.35 ±20 1.4 1300 2500 1400 3000 - - SOT-23

中低压Mosfet

型号规格书结构 Configuration 产品极性 N/P 漏源电压VDSS (V) 漏电流 ID (A) 耗散功率 Pd 栅源电压VGS (V) 阈值电压VTH(V) 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS10V Typ 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS10V Max 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS4.5V Typ 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS4.5V Max 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS1.8V Typ 导通电阻Rdson(mΩ) @VGS1.8V Max 封装

2N7002KW

Single-ESD N 60 0.34 ±20 1.4 1300 2500 1400 3000 - - SOT-323

2N7002KDW

Dual-ESD N 60 0.34 ±20 1.4 1300 2500 1400 3000 - - SOT-363

2N7002K

Single-ESD N 60 0.34 ±20 1.4 1300 2500 1400 3000 - - SOT-23

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